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本公开提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构具有一基底；一漏极，配置在该基底中；一漏极接触点，配置在该漏极中；一源极，配置在该基底中；一源极接触点，配置在该源极中；一栅极结构，配置在该漏极与该源极之间，具有一底部；一通道，配置在该栅极结构的该底部，连接该漏极与该源极；一漏极应力源，配置在该漏极中并位于该栅极结构与该漏极接触点之间；一漏极应变硅层，配置在该基底中，并围绕该漏极应力源，且连接该通道；一源极应力源，配置在该源极中，并位于该源极接触点与该栅极结构之间；以及一源极应变硅层，配置在该基
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420837 A
(43)申请公布日
2021.02.26
(21)申请号 20201
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