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本申请公开了一种晶圆环切方法,涉及半导体制造领域。该晶圆环切方法包括获取晶圆在Taiko减薄前的第一厚度和在Taiko减薄后的第二厚度;根据晶圆的第一厚度和第二厚度确定晶圆对应的实际断差;根据实际断差和环切作业要求,选取与实际断差对应的晶圆适配性最佳的垫片,并建立晶圆断差与垫片的映射关系;获取待环切晶圆的实际断差,根据晶圆断差与垫片的映射关系,确定待环切晶圆对应的垫片;利用确定出的待环切晶圆对应的垫片对待环切晶圆进行环切;解决了目前在对Taiko减薄晶圆进行环切后,晶圆容易出现裂纹或残屑的问题;
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420492 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202011342000.1
(22)申请日 2020.11.25
(71)申请人 华虹半导体(无锡)有限公司
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