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半导体薄膜的形成方法.pdfVIP

半导体薄膜的形成方法.pdf

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    一种半导体薄膜的形成方法，包括：步骤一，提供基底，将所述基底置于沉积腔室中；步骤二，向沉积腔室中通入第一前驱气体，在所述基底的表面形成吸附层，所述通入第一前驱气体的持续时间为第一时间；步骤三，所述步骤二时通入沉积腔室的第一前驱气体在沉积腔室中继续停留第二时间；步骤四，停留第二时间后，排出残留的第一前驱气体；步骤五，向所述沉积腔室中通入第二前驱气体，所述第二前驱气体与吸附层反应，在基底表面形成单层膜层；步骤六，排出残留的第二前驱气体和反应副产物；重复进行步骤二到步骤六，直至在所述基底表面形成薄膜。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420486 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 20191

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