半导体器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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半导体器件及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底；设置于衬底上方且由绝缘层和栅极层交替层叠的堆叠层，堆叠层沿平行于衬底的第一横向区分有过渡沟道柱区、以及位于过渡沟道柱区旁边的虚拟沟道柱区；形成于堆叠层中且分别位于过渡沟道柱区与虚拟沟道柱区的过渡沟道柱阵列以及虚拟沟道柱阵列，过渡沟道柱阵列以及虚拟沟道柱阵列分别包括在第一横向与在垂直于第一横向的第二横向上呈阵列排列的多个过渡沟道柱以及多个虚拟沟道柱；形成于堆叠层中并沿第二横向延伸，且设置于过渡沟道柱阵列与虚拟沟道柱阵列之间的栅极隔槽，该栅极隔槽的设置，有效地

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112420724 B (45)授权公告日 2021.09.28 (21)申请号 202011294003.2 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请