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提供一种既能够提高发光效率又能够提高发光寿命的氮化物半导体发光元件。氮化物半导体发光元件(1)具备：活性层，其发出紫外光；p型AlGaN系的电子阻挡层叠体，其位于活性层上，包含从活性层侧依次层叠第1电子阻挡层、第2电子阻挡层以及第3电子阻挡层而成的结构；以及p型接触层，其位于电子阻挡层叠体上，第2电子阻挡层的Al组分比小于第1电子阻挡层的Al组分比，第3电子阻挡层的Al组分比从第2电子阻挡层侧朝向p型接触层侧减小。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420889 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202010841218.5
(22)申请日 2020.08.20
(30)优先权数据
2019-1506
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