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本申请一方面提供一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍部上方形成第一伪栅极和第二伪栅极，所述鳍部在衬底之上突出；分别用第一金属栅极和第二金属栅极替换所述第一伪栅极和所述第二伪栅极；在所述第一金属栅极和所述第二金属栅极之间形成介电切割图案，与所述第一金属栅极和所述第二金属栅极相比，所述介电切割图案从所述衬底延伸得更远；在所述第一金属栅极、所述第二金属栅极、以及所述介电切割图案上方形成图案化的掩模层，所述图案化的掩模层中的开口暴露出所述开口下面的所述第一金属栅极的一部分、所述第二金属栅极的一部分、以及
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420613 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202010850307.6
(22)申请日 2020.08.21
(30)优先权数据
16/550,08
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