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本发明提供了一种半导体器件及其制作方法中,第一开孔和待引出第一金属层沿第一晶圆的厚度方向在第一衬底上的投影无重叠;即形成第一开孔(TSV)的过程中不接触(暴露出)待引出第一金属层,本发明中的第一开孔(TSV)不同于常规工艺中的硅通孔(TSV),避免了常规硅通孔(TSV)需要刻蚀停止在要引出的金属层上导致的金属层被过度损伤、溅射扩散等问题。所述待引出第一金属层分别通过第一再分布金属层和第一开孔中的第一互连层被引至第一晶圆厚度方向的上下两个端面上,第一晶圆形成双面开放式电连接结构,能够很好的与两侧键
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420645 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202011279659.7
(22)申请日 2020.11.16
(71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司
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