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本发明公开了半导体芯片缺陷定位方法,包括:若不是合die扫描程式确认die内cell区域pitch,将自对准十字定位到diecorner的位置,将自对准十字原点到diecorner的距离表示为X*Y;若是合die扫描程式获取合die的合叠尺寸M*N,通过GDS确认单个die的尺寸A*B,将自对准十字原点在M*N区间中移动mA*nB的距离;通过X*Y定义聚焦尺寸,在X*Y区域内移动扫描镜头;将所有移动扫描镜头拍摄图像叠加计算pitch灰阶值均值为α;当其中某张pitch图像灰阶值与灰阶值均值α
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112414943 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202011362183.3
(22)申请日 2020.11.27
(71)申请人 上海华力微电子有限公司
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