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提供了一种装置。该装置包括半导体衬底,该半导体衬底包括用于产生第一电荷的第一光电二极管、用于产生第二电荷的第二光电二极管、位于第一光电二极管和第二光电二极管之间的阻挡层,其中,第一光电二极管、阻挡层和第二光电二极管形成堆叠。该装置还包括浮置漏极和一个或更多个栅极,该一个或更多个栅极包括:第一栅极部分和第二栅极部分,第一栅极部分在半导体衬底上,第二栅极部分从前侧表面延伸穿过第一光电二极管并到达阻挡层。第一栅极部分被配置为传导第一信号以控制电荷从第一光电二极管到浮置漏极的流动,并且第二栅极部分被配置
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112400232 A
(43)申请公布日 2021.02.23
(21)申请号 201980046088.1 (74)专利代理机构 北京安信方达知识产权代理
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