有哪些信誉好的足球投注网站- 1、本文档共15页，其中可免费阅读14页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件包括：第一电极，具有凸起的块状结构；阻变层，覆盖在所述块状结构的上表面和侧表面；储氧层，覆盖在所述阻变层的上表面和侧表面，其中，所述储氧层在与所述块状结构的上拐角处的厚度比其他位置处的厚度厚；第二电极，覆盖在所述储氧层的上表面和侧表面。由于块状结构在其上拐角处的电场分布更加集中，且这一位置处的储氧层较厚，更易于生成导电细丝。如此，可将导电细丝的形成位置控制在这一区域内，并在该半导体集成电路器件制造过程中避免了对阻变层的侧壁造成损
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420921 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202011171637.9
(22)申请日 2020.10.28
(71)申请人 厦门半导体工业技术研发有限公司
文档评论（0）