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单层转移集成电路的热提取.pdfVIP

单层转移集成电路的热提取.pdf

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    一种使用背侧接近工艺制造的FETIC结构，该FETIC结构减轻或消除了导热性问题。在一些实施方式中，在FET附近形成电隔离的热路径，并且该电隔离的热路径被配置成将热横向地传导离开FET至总体上正交的热路径，并且因此传导至在完整IC的“顶部”处可从外部接近的热垫。在利用导热处理晶片的一些实施方式中，在FET附近形成电隔离的热路径，并且该电隔离的热路径被配置成将热横向地传导离开FET。充分地形成热通孔以与处理晶片以及与器件上部结构的常规金属化层热接触，所述常规金属化层中的至少一个与横向热路径热接

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112424929 B (45)授权公告日 2022.04.19 (21)申请号 201980048105.5 罗纳德 ·尤金 ·里迪　 (22)申请日 20

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