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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法,先形成包括存储区和阶梯区的堆叠层,再刻蚀掉存储区顶部的至少两对层间绝缘层和层间牺牲层,在刻蚀后的堆叠层上形成一层绝缘层,接着去除位于阶梯区顶部的所述绝缘层,最后去除位于阶梯区顶部的层间牺牲层,同时使堆叠层的表面平坦化。这样在存储区的顶部是绝缘层,在阶梯区的顶部还是层间绝缘层和层间牺牲层交替堆叠的结构,可以大大降低刻蚀台阶时的工艺难度。另外,通过先将阶梯区的绝缘层去除,后续进行化学机械研磨时,在存储区顶部的绝缘层与阶梯区顶部的堆叠结构交界处,可以减少形成凹槽
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112397519 B
(45)授权公告日 2022.04.19
(21)申请号 202011279740.5 H01L 27/11556 (2017.01)
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