激光局域退火非晶多晶复合光电子集成方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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激光局域退火非晶多晶复合光电子集成方法.pdf

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本发明公开了一种激光局域退火非晶多晶复合光电子集成方法，该方法步骤如下：在硅晶圆(硅晶圆上覆盖有波导下包层)上生长一层非晶硅薄膜并沉积上一层保护层，在保护层上制备一层金属图案，将金属图案未覆盖部分的保护层刻蚀掉，向非晶硅薄膜中注入掺杂离子；将激光束以一定的速率扫描过金属图案上方，金属图案覆盖区域反射大部分激光束的能量，其未覆盖处的非晶硅则由于吸收大量激光束能量形成熔融态，并激活了注入的掺杂离子，最后通过退火结晶形成多晶硅，之后进行CMOS兼容的硅光器件常规工艺。采用本发明方法可实现在低温工艺下制

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397379 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202011280112.9 (22)申请日 2020.11.16 (71)申请人浙江

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