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半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序.pdfVIP

半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序.pdf

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    在抑制不形成薄膜的膜的损伤的同时在基板上选择性形成薄膜。依次进行以下工序：向在表面至少露出第一膜和与上述第一膜不同的第二膜的基板供给第一无机系材料，从上述基板的表面除去自然氧化膜的工序；向上述基板供给氧化剂，使上述第一膜氧化，在表面再形成氧化膜的工序；向上述基板供给第二无机系材料，对上述第一膜的表面进行改性的工序；和向上述基板供给堆积气体，在上述第二膜的表面选择性生长薄膜的工序。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112424916 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 201880095706.7 (51)Int.Cl.

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