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本发明提供了一种EIGZO靶材的制备方法,属于靶材领域。本发明以氧化铟粉末作为基体材料,通过添加氧化铒对半导体内的载流子浓度进行调控,不仅提高了氧化物半导体的稳定性,而且铒离子的掺杂量较低,可保证In的5s电子轨道完整性,确保高迁移率的优势;同时将氧化铟、氧化铒、氧化镓和氧化锌复配,进一步提高氧化物半导体的光稳定性;另外,采用先不通入氧气烧结,再通入氧气烧结的方式,提高了所得EIGZO靶材的相对密度,进一步确保氧化物半导体具有更好的迁移率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112390622 A
(43)申请公布日 2021.02.23
(21)申请号 202011326595.1
(22)申请日 2020.11.23
(71)申请人 先导
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