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本发明公开了一种面向晶体电光调制的最优调制点选取方法，其包括：基于相位调制理论确定偏置电场与调制电场的相位变化；利用偏置电场与调制电场的相位变化，基于调制透过理论计算任意电场输入下电光调制透过幅值；基于介电测试仪测量晶体材料在偏置电场下的动态介电响应函数；基于积分上限函数积分偏置电场和调制电场的动态相位变化；通过软件计算调制透过幅值最高点即为调制器的最大调制幅值，对应的偏置场强即为最优调制点。本发明给出了计算晶体电光调制点所需的各个参数的解析表达形式和获取方法，具有快速、准确获取电光调制点的优势
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112415791 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202011292552.6
(22)申请日 2020.11.18
(71)申请人 中国人民解放军战略支援部队航天
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