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带有低噪声源跟随器的图像传感器像素结构及其制作方法.pdfVIP

带有低噪声源跟随器的图像传感器像素结构及其制作方法.pdf

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    带有低噪声源跟随器的图像传感器像素结构及其制作方法，像素结构中的无浅沟槽隔离源跟随器使用p+型隔离层结构代替浅沟槽隔离结构，在实现电学隔离功能的基础上，降低晶体管沟道边缘区域的缺陷密度；同时降低源跟随器晶体管栅氧化层厚度，提高单位面积栅氧化层电容值；该无浅沟槽隔离源跟随器可有效提升小尺寸像素的噪声特性；该像素结构的制作方法是：在硅衬底上生成一层p型外延层，在p型外延层上通过沉积、刻蚀和离子注入等方法先后生成p型阱、光电二极管区，多晶硅栅、源漏区等结构；针对源跟随器进行重点优化，源跟随器采用薄栅氧

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397529 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 20191

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