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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；所述衬底内具有初始半导体结构；在所述衬底表面形成介质层，所述介质层内具有暴露出所述初始半导体结构表面的第一开口；刻蚀所述第一开口底部暴露出的初始半导体结构，在所述初始半导体结构内形成第二开口；在所述第二开口内形成接触层，所述接触层内具有第三开口；在所述第一开口与所述第三开口内形成导电结构。通过在所述接触面内形成第三开口，能够保证所述导电结构与所述接触层之间形成的接触界面为凹曲面结构，所述凹曲面结构较水平面结构相比，接触面积有效增大，进而减小了接触电阻。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397441 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 20191

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