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本揭露是一种多晶硅电阻结构与其制作方法，形成具有高介电常数介电质与多晶硅栅极电极的多晶硅电阻的方法包含沉积电阻堆叠于基材上，且此基材包含分隔开来的第一隔离区域及第二隔离区域。此方法还包含图案化电阻堆叠，以形成多晶硅电阻结构于第一隔离区域上，且形成栅极结构于第一隔离区域与第二隔离区域之间，以及掺杂多晶硅电阻结构，以形成掺杂层于多晶硅电阻结构的多晶硅层中，且形成源极/漏极区域于相邻栅极结构的基材中。此外，方法包含以金属栅极电极替换在栅极结构中的多晶硅层，以形成晶体管结构。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420693 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202010825518.4
(22)申请日 2020.08.17
(30)优先权数据
16/549,07
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