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本申请涉及包含二维材料的晶体管，并且涉及相关的微电子装置、存储器装置和电子系统。晶体管包括2D材料结构和栅极结构。所述2D材料结构在第一水平方向上平行延伸的介电鳍结构的表面上并且在其之间共形地延伸，并且包括源极区、漏极区和在所述第一水平方向上定位在所述源极区和所述漏极区之间的沟道区。所述栅极结构覆盖所述2D材料结构的所述沟道区，并且在与所述第一水平方向正交的第二水平方向上延伸。所述栅极结构在所述第一水平方向上在所述2D材料结构的所述沟道区的水平边界内。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420839 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202010836620.4 H01L 27/11524 (2017.01)
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