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本申请提供一种硅基片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法。该片上波导损耗测量装置，包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；形成于所述顶层硅中的法布里‑珀罗谐振腔，所述法布里‑珀罗谐振腔的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；光电探测器，其形成于所述顶层硅上；以及加热器，其形成于所述法布里‑珀罗谐振腔的预定距离处。使用本申请的片上波导损耗测量装置，可以有效降低光纤与芯片对准精度要求，减小波导损耗测量结构面积，实现高效快速的波导损耗测量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112414673 A
(43)申请公布日
2021.02.26
(21)申请号 20191
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