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本发明一种MEMS探针激光刻蚀装置属于半导体加工测试技术领域；所述装置按照光线传播方向，依次设置弧形光源，螺旋通槽板，直线通槽板，物镜，单晶硅圆片和四维台；弧形光源的每一点到物镜中心距离相同，切线均与该点到物镜中心的连线垂直；螺旋通槽板包括开有螺旋通槽的第一底板和截面为圆环形的第一侧边，直线通槽板包括开有直线通槽的第二底板和截面为圆环形的第二侧边，第二底板上表面与第一底板下表面紧贴；单晶硅圆片上表面与第二底板分别位于物镜的像面和物面，单晶硅圆片进行三维平动和一维转动；本发明MEMS探针激光刻蚀装
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112388155 B
(45)授权公告日 2022.03.29
(21)申请号 202011382164.7 审查员 孔祥艳
(22)申请日 2020.12.01
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