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一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成突出的半导体条带；在所述半导体条带之间形成隔离区；在所述隔离区上形成混合鳍部，所述混合鳍部包括介电鳍部和所述介电鳍部上方的介电结构；在所述半导体条带上方形成伪栅极结构；在所述半导体条带上方和所述伪栅极结构的相对侧上形成源极/漏极区；在所述伪栅极结构下方形成纳米线，其中，所述纳米线位于相应的半导体条带上方并且与所述相应的半导体条带对齐，并且所述源极/漏极区位于所述纳米线的相对端，其中，与所述纳米线相比，所述混合鳍部从所述衬底延伸得更远；在形成所述纳米线
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420614 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202010851257.3 B82Y 40/00 (2011.01)
(22)申请日 2
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