有哪些信誉好的足球投注网站- 1、本文档共11页，其中可免费阅读10页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请公开了一种N面GaNHEMT器件及制作方法。所述HEMT器件包括外延结构以及与外延结构配合的源、漏、栅极；所述外延结构包括沿设定方向依次生长形成的高阻层、沟道层和势垒层，所述沟道层与势垒层的界面处还形成有二维电子气；所述高阻层至少作为原位钝化层，所述栅极分布在高阻层上。本申请通过采用转移技术取代直接生长，可以容易、可控地获得高质量N面GaN材料，其中利用高阻(Al)GaN作为原位钝化层，一方面有效减小了刻蚀对GaN‑AlGaN异质结造成的损伤，可以维持高二维电子气迁移率及载流子浓度，另一
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112420827 A
(43)申请公布日 2021.02.26
(21)申请号 202011319555.4
(22)申请日 2020.11.23
(71)申请人 苏州能屋电子科技有限公司
文档评论（0）