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可变电阻式存储器的结构及其制作方法.pdfVIP

可变电阻式存储器的结构及其制作方法.pdf

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    本发明公开一种可变电阻式存储器的结构及其制作方法，其中该可变电阻式存储器结构包含一介电层，一第一可变电阻式存储器设置于介电层上，一第二可变电阻式存储器设置介电层上并且在第一可变电阻式存储器的一侧，一沟槽位于第一可变电阻式存储器和第二可变电阻式存储器之间的介电层内，其中第一可变电阻式存储器包含一下电极、一可变电阻层和一上电极，可变电阻层位于下电极和上电极之间，其中下电极的宽度小于上电极的宽度，下电极的宽度小于可变电阻层的宽度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420919 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 20191

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