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本发明公开了一种促进泥炭藓假根生长的方法,该方法为向培养基中加入80nM~1μM浓度的NAA(α‑萘乙酸,1‑Naphthaleneaceticacid)对泥炭藓进行培养基法培养。对泥炭藓进行培养基法培养。本发明研究发现适合泥炭藓假根发育的最佳生长素NAA使用浓度,从而促进泥炭藓假根发育,进而达到使泥炭藓更好地适应生境的目的。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112385546 B
(45)授权公告日 2023.04.07
(21)申请号 202011420488.5 (56)对比文件
(22)申请日 2020.12.08
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