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本发明涉及一种高耐电场强度、高储能密度的NBT‑BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料及其制备方法，属于介电陶瓷材料制备技术领域。本本发明公开了一种化学组成为0.6(0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaTiO3)‑0.4(Sr0.7Bi0.2TiO3)‑0.1％Dy2O3(简写为NBT‑BT‑40SBT‑Dy)的高耐电场强度、高储能密度的NBT‑BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料。本发明的NBT‑BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料具有以下性能：(1)电滞回线形状纤细，表现出弛豫铁电体的特征，耐电场强度可以达到
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112430084 B
(45)授权公告日 2022.07.08
(21)申请号 202011412077.1 CN 108467263 A,2018.0
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