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2023-05-30 发布于四川
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一种具有静电放电保护功能的可控硅器件.pdf

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本发明涉及可控硅器件静电保护技术领域，具体涉及一种具有静电放电保护功能的可控硅器件。其中，硅膜层中沿左右方向相邻设置有N型阱区和P型阱区；N型阱区中的上部从左到右依次设置有等效二极管区、第一P型重掺杂区和超浅沟槽隔离区；等效二极管区包括至少一个等效结构；任一等效结构均包括沿左右方向设置的第一N型重掺杂区和第二P型重掺杂区，并对应设置有第二多晶硅；P型阱区中的上部从左到右依次设置有第二N型重掺杂区和第三P型重掺杂区。本发明利用超浅沟槽隔离区的绝缘能力，增加了SCR中正极到负极的路径上的等效电阻，并

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112466939 A (43)申请公布日 2021.03.09 (21)申请号 202011349246.1 (22)申请日 2020.11.26 (71)申请人中国科学院微电子研究所

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