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本发明实施例公开了一种E/D‑modeGaNHEMT集成器件的制备方法。该制备方法首先在衬底上形成至少两个GaNHEMT异质结结构，其中，异质结结构包括依次叠层设置的GaN层、空间隔离层以及势垒层，以及在异质结结构远离衬底的一侧形成源极欧姆接触电极和漏极欧姆接触电极。然后，通过在异质结结构远离衬底的一侧采用干法氧化‑湿法刻蚀重复循环的方式形成第一栅极开孔，在第一栅极开孔处形成第一栅极，形成第二栅极开孔和第二栅极，形成源极和漏极，实现了D‑modeGaNHEMT器件和E‑modeGaN
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466941 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202011360357.2
(22)申请日 2020.11.27
(71)申请人 南方科技大学
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