《电子封装》习题选解.pptx

《电子封装》习题选解;中英文概念对应（1）;中英文概念对应（2）;7.请比较干法刻蚀和湿法刻蚀的优缺点。;11.比较真空蒸镀、磁控溅射、等离子化学气相沉积（PCVD）的工艺特征;21.对比SoC与SiP;23.简述Ag-Pb导体浆料与Al2O3基板烧结结合的机理。;36.常用积层（build-up）式基板共有哪几种类型，分别给出其制作工艺流程。;39.制作LTCC多层基板有哪些关键的工艺因素？;40.在芯片电极上为什么要形成凸点（bump）？简述焊料凸点和金凸点的形成方法。;41.凸点下金属层（under bump metal，UBM）起什么作用，请举例说明。;43.简述芯片微互联的WB工艺;44.简述芯片无引线连接的TAB工艺;49.简述WEEE、RoHS、EuP三个指令的主要内容;55.BGA共有哪几种类型，说明各自特点。;67.若驱动显示规格（一般称为图像分辨率）为UXGA（像素数为1600（X3）X1200）的42型16：9的TFT LCD液晶显示器，选用460条I/O引脚的驱IC，行、列各需要多少个IC，引脚节距分别是多长（用um表示）。;68.简述LED实现白光的四种方式，它们是如何封装的？