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本申请涉及一种深台面型光电子器件及其电极光刻制备方法,方法包括步骤:加工形成深台面刻蚀器件;在深台面刻蚀器件上匀涂第一层反转光刻胶,并进行第一次坚膜烘烤,使第一层反转光刻胶固化;在第一层反转光刻胶上匀涂第二层反转光刻胶,并进行第二次坚膜烘烤,以使所有光刻胶的厚度覆盖吸收区的侧壁;依次完成掩膜曝光、反转烘烤、泛曝光及显影工艺,形成碗状结构的光刻胶;依次进行金属生长沉积、金属lift‑off,得到电极光刻后的深台面型光电子器件。本申请提供的深台面型光电子器件的电极光刻制备方法,有效解决了因侧壁光刻胶
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112466994 A
(43)申请公布日 2021.03.09
(21)申请号 202011302059.8 G03F 1/80 (2012.01)
(22)申请日 20
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