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本发明提供一种半导体激光发射器，其特征在于，包括：第一DBR层，第二DBR层，配置于所述第一DBR层与所述第二DBR层之间的量子阱有源区，所述第二DBR层还连接衬底层，所述衬底层具有第一厚度，所述衬底远离所述量子阱有源区的一侧包含激发所述量子阱有源区的第一电极和第二电极；通过将驱动有源区的第一电极和第二电极设置在衬底的相同侧，减少了引线电感，使得发射器能够适应更高电信号传递速率要求的场景，同时也不用改变顶出光的出光方式。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112490846 A
(43)申请公布日 2021.03.12
(21)申请号 202011361135.2
(22)申请日 2020.11.27
(71)申请人 宁波飞芯电子科技有限公司
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