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本发明公开了一种级联式去耦芯片,包括分别分布在上、下两层的低频去耦单元和高频去耦单元;所述低频去耦单元四个呈田字分布的金属开口谐振环,所述金属开口谐振环为回字形,其内圈与外圈螺旋相接,四个呈田字分布的金属开口谐振环共用相邻外圈,四个金属开口谐振环开口分别在去耦芯片的四个方向上;所述高频去耦单元包括一个方形谐振环,设置在低频去耦单元正下方。本发明通过设计特殊结构的复合谐振环,等效成LC电路,并通过低温共烧陶瓷技术,集成芯片,该芯片在一定的频带内产生单负特性,用于天线之间去耦,同时由于在芯片上加载低
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112510366 A
(43)申请公布日 2021.03.16
(21)申请号 202011117293.3
(22)申请日 2020.10.19
(71)申请人 西安朗普达通信科技有限公司
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