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本公开提供了一种发光二极管外延片及其制造方法,属于半导体技术领域。发光二极管外延片的有源层包括多个周期交替生长的量子阱层和量子垒层,每个量子阱层均为AzGa1‑zN层,多个量子垒层中包括靠近N型层的多个第一类量子垒层和靠近P型层的多个第二类量子垒层,第一类量子垒层为AlmGa1‑mN层,z<m,第二类量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层,第一子层为AlxGa1‑xN层,第二子层为AlyGa1‑yN层,z<x<y,第三子层为AlN层。采用该发光二极管外延片可以提高量子垒层对载流子的限
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112510124 B
(45)授权公告日 2022.05.13
(21)申请号 202011294076.1 H01L 33/00 (2010.01)
(22)申请日 2020.11
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