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一种负温度系数热敏电阻芯片及其制备方法.pdf

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    本申请涉及热敏电阻技术领域，具体公开了一种负温度系数热敏电阻芯片及其制备方法。负温度系数热敏电阻芯片由包含以下重量份的原料制成：771.24‑771.34份Mn3O4；215.82‑215.92份NiO；12.79‑12.89份Al2O3；其制备方法为：S1、称料；S2、混合；S3、煅烧；S4、微粉碎；S5、喷雾造粒；S6、压片成型；S7、预烧结；S8、烧结；S9、抛光；S10、刷银。本申请的负温度系数热敏电阻芯片具有电阻值和B值一致性好，在高温环境下长期使用后，阻值漂移率小于1%，使用寿命长，

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112479681 B (45)授权公告日 2022.06.21 (21)申请号 202011326400.3 H01C 7/04 (2006.01)

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