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本申请提供了一种高品质碳化硅单晶的制备方法，所述方法至少包括装料、加热和长晶的步骤，所述装料的步骤包括：向热场中提供长晶原料；所述长晶原料包括第一碳化硅粉料和含有第二碳化硅粉料和碳粉料的混合粉料，所述混合粉料在热场中位于所述第一碳化硅粉料的底部下方。本申请提供的碳化硅单晶的制备方法，通过下层为含有碳粉料和碳化硅粉料的混合粉料以及上层为纯碳化硅粉料的布料方式，使得在长晶前期过程中的硅碳比增大，硅气氛优先与混合粉料中的碳粉料反应，有效减轻对石墨坩埚壁的侵蚀，同时在长晶后期还能够防止碳颗粒传输至生长面
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112481701 B
(45)授权公告日 2021.12.17
(21)申请号 202011257244.X (51)Int.Cl.
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