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本发明涉及一种太阳能电池的制备方法,该方法包括:S1、对硅片进行预处理;S2、在硅片的背表面制备隧穿氧化层和多晶硅薄膜层;S3、在硅片的背面制备背面p+poly发射极;S4、对硅片的背面进行局部磷浆印刷,并烘干处理,制备图案化结构;S5、对硅片进行退火处理,形成正面n+前场和反掺杂的背面n+poly背场;S6、对硅片进行后处理。本发明先在硅片背面制备整面p+poly发射极,然后选择反掺杂的方式形成背面n+poly背场,从而可以避免使用复杂的光刻掩膜等技术;并且,本发明的n+poly背场反掺杂时采
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112490325 A
(43)申请公布日 2021.03.12
(21)申请号 202011356479.4
(22)申请日 2020.11.27
(71)申请人 泰州中来光电科技有限公司
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