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本发明用于半导体制造的光刻技术领域,提出一种利用条件判断式规则对邻近效应造成曝光图形失真的修正方法。本发明公开了一种修正邻近效应造成曝光图形失真的方法,包括:对光罩上的曝光图形进行像素单元的划分,得到目标图形;对目标图形进行邻近效应的计算得到邻近效应图形;将每一次计算的邻近效应图形与目标图形比对,得到多余点和缺少点;修正多余点和缺少点,得到修正图形;当修正图形的邻近效应图形与目标图形一致时,修正完成,否则将进行循环修正。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112485975 A
(43)申请公布日 2021.03.12
(21)申请号 202011442268.2
(22)申请日 2020.12.08
(71)申请人 郑州大学
地址 45
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