加热装置及加热方法、半导体工艺设备.pdfVIP

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2023-05-31 发布于四川
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加热装置及加热方法、半导体工艺设备.pdf

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本发明提供一种加热装置及加热方法、半导体工艺设备，其中，加热装置用于对半导体工艺腔室进行加热，半导体工艺腔室包括多个加热区，加热装置包括：控制模块、输气模块、多个加热件、以及多个温度检测模块；每个温度检测模块均用于检测与其所对应的加热区的温度；每个加热件均用于对与其所对应的加热区进行加热；控制模块用于根据温度检测模块检测到的温度，判断任意两个加热区之间的温度差异是否大于第一预设阈值，若是，则控制温度较高的加热区中的加热件停止加热，并控制输气模块向温度较高的加热区中通入冷却气体，直至任意两个加热区

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112490148 A (43)申请公布日 2021.03.12 (21)申请号 202011267091.7 (22)申请日 2020.11.13 (71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

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