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本发明公开了一种基于自旋发射和线偏振光电流的偏振可调谐太赫兹辐射源,飞秒激光入射到铁磁性金属‑拓扑绝缘体异质结薄膜时,在拓扑绝缘体薄膜的两个面上同时激发产生自旋电荷转化和线偏振光电流效应,并各自辐射出线偏振的光电流分量太赫兹波和自旋电荷转化分量太赫兹波,通过对纳米异质结样品上将线偏振光电流和自旋电荷转化两种效应贡献的太赫兹波结合与调控,得到高质量的圆偏振太赫兹波辐射源。本发明不仅能产生高质量的圆偏振太赫兹辐射,还能够实现任意偏振态太赫兹波的产生,为下一代集成化的新型太赫兹辐射源奠定了基础。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112510469 B
(45)授权公告日 2022.04.12
(21)申请号 202011054798.X
(22)申请日 2020.09.27
(65)同一申请的
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