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本发明属于靶材制造技术领域,公开了一种掺杂的IGZO材料的制备方法。该制备方法,包括以下步骤:(1)向ZnO、In2O3、Ga2O3粉末中加入钼酸铵溶液,混合,干燥,过筛,加热,制得IGZO粉体;(2)向步骤(1)制得的IGZO粉体中加入成型剂,混合,干燥,过筛,成型,脱出成型剂后烧结,即制得IGZO材料;ZnO、In2O3、Ga2O3粉末的粒径为300‑800nm。由制备方法制得的IGZO材料的相对密度大于99.6%,电阻率小于9.5×10‑4Ω·cm;由该IGZO材料制得的IGZO薄膜材料的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112479683 A
(43)申请公布日 2021.03.12
(21)申请号 202011494732.2
(22)申请日 2020.12.17
(71)申请人 中山智隆新材料科技有限公司
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