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本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于自对准结构的叠层沟道纳米片晶体管及其制备方法。随着集成电路中半导体晶体管制程的逐步缩小，由于短沟道效应的存在，器件性能的提升受到严峻的挑战。在3‑5nm工艺节点下，器件的具体结构从鳍型场效应晶体管逐步转变为环栅叠层纳米片晶体管，其使得晶体管拥有更小的导通电阻与更强的栅控能力。本发明利用自有的栅极、源极、漏极金属作为自对准掩膜，制备得到叠层沟道纳米片晶体管。本发明具有制备工艺简单，成本低廉，兼容以硅基、锗基、三五族、IGZO、二维半导体等材料作为沟导电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112490289 B
(45)授权公告日 2022.08.19
(21)申请号 202011316239.1 H01L 29/423 (2006.01)
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