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本发明提供的一种氧化镓晶体冷坩埚生长方法，包括以下步骤：放置β‑Ga2O3籽晶，堆积高纯Ga2O3形成原料堆；启动高频感应发生器电源，将两根石墨棒插入原料堆中；升高石墨棒的加热功率至石墨棒之间产生电火花，石墨棒起燃使周围的高纯Ga2O3圆球状原料熔融，形成熔体；熔体在高频感应线圈的作用下持续发热，向熔体中投入高纯Ga2O3圆球状原料，使充分熔化，熔体体积进一步扩大，直至籽晶与熔体充分熔接；将水冷铜管坩埚逐渐下降，晶体自籽晶处逐步向上结晶生长；降温退火。该方法工艺简单，大幅降低长晶成本；采用常压空
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112513342 A
(43)申请公布日 2021.03.16
(21)申请号 201980032816.3 (51)Int.Cl.
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