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本发明公开一种提升SICMOSFET可靠性的驱动方法及电路，可以根据负载情况（电流大小），调整SICMOSFET管驱动电压，设定负载电流判断临界值，用于防止系统误判，提高判断准确性。本发明适用于所有SICMOSFET的电源方案，通过软硬件结合方式，完全解决掉SICMOSFET驱动电压应力安全范围较窄易失效的问题，提升产品可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112491252 A
(43)申请公布日 2021.03.12
(21)申请号 202011603609.X
(22)申请日 2020.12.30
(71)申请人 深圳市永联科技股份有限公司
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