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本发明涉及一种金属辅助光化学的n型碳化硅蚀刻方法，将刻蚀工艺分三阶段，第一阶段：在n型碳化硅表面溅射金属膜并进行图形化处理；第二阶段：在刻蚀前进行激光扫描，受光位置超过其光化学刻蚀融熔阈值，可以有效提高刻蚀的深宽比；第三阶段：把n型碳化硅单晶芯片浸泡在H2O2/HF溶液中进行刻蚀反应，并以紫外光辅助，进行光化学反应。本发明采用Pt、W、Ti等惰性金属作为金属掩膜，同时采用H2O2和HF作为蚀刻溶液，蚀刻溶液中没有金属元素，且蚀刻过程中，蚀刻溶液与金属掩膜不会发生反应，金属掩膜的金属颗粒不会释出到
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112490122 A
(43)申请公布日 2021.03.12
(21)申请号 202011502997.2
(22)申请日 2020.12.18
(71)申请人 璨隆
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