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一种具有PIN微结构的AlGaAs/GaAs中子探测器，以n型GaAs作为衬底层，在GaAs衬底层上依次生长变掺杂变组分n型AlGaAsN层、本征GaAsI层、变掺杂变组分p型AlGaAsP层及p型GaAs欧姆接触帽层；再在p型GaAs欧姆接触帽层上沉积SiO2钝化层，而后依次刻蚀变掺杂变组分n型AlGaAsN层、本征GaAsI层、变掺杂变组分p型AlGaAsP层和p型GaAs欧姆接触帽层以形成微结构；再在经套刻后的p型GaAs欧姆接触帽层与GaAs衬底层上形成p型电极层与n型电极层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112490318 A
(43)申请公布日 2021.03.12
(21)申请号 202011353719.5
(22)申请日 2020.11.27
(71)申请人 东华理工大学
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