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本发明公开了一种粗硅烷全温程变压吸附制取电子级硅烷的方法,利用硅烷与杂质组分之间在不同温度与压力下的物理化学性质及相对吸附/精馏分离系数的差异,通过中温变压吸附提纯与浅冷变压吸附浓缩与精馏、化学吸附纯化耦合,粗硅烷气经过中浅冷精馏、中温变压吸附提纯、浅冷变压吸附浓缩及硅烷纯化工序,高纯度高收率地获得了纯度大于等于99.9999%、收率大于96%的电子级硅烷产品气。本发明适合于不同的方法制造出来的粗硅烷作为原料气,克服了现有的粗硅烷制取电子级硅烷所存在的粗硅烷制备方法不同而产生的粗硅烷中杂质组分不
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112479214 A
(43)申请公布日 2021.03.12
(21)申请号 202011533725.9
(22)申请日 2020.12.23
(71)申请人 浙江天采云集科技股份有限公司
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