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本发明涉及研磨用组合物和研磨方法。[课题]提供如下研磨用组合物:适合于利用CMP法对在由绝缘膜形成的图案上形成了由具有硅‑硅键的硅材料形成的膜的研磨对象物进行研磨而形成由上述硅材料形成的布线图案的用途,还能够抑制研磨速度的显著降低。[解决方案]本发明的研磨用组合物包含:磨粒;第一水溶性高分子,其由包含内酰胺环的高分子化合物形成、且重均分子量低于30万;第二水溶性高分子,其由包含内酰胺环的高分子化合物形成、且重均分子量小于第一水溶性高分子;碱性化合物;和,水。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112552824 A
(43)申请公布日 2021.03.26
(21)申请号 202011016882.2
(22)申请日 2020.09.24
(30)优先权数据
2019-1753
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