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2023-06-01 发布于四川
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一种低噪声热电堆器件的制作方法.pdf

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本发明涉及一种低噪声热电堆器件的制作方法。一种低噪声热电堆器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有正面和背面；在所述半导体衬底的正面形成隔离层；在所述隔离层沉积多晶硅层，并进行掺杂，然后分两次进行退火处理；其中，第一次退火采用快速热退火方式，退火温度为950℃～1150℃，退火时间为10～60秒；第二次退火采用激光退火方式，退火能量为1A～15A；然后对所述多晶硅层光刻图形化，得到多个多晶硅热电偶；经过后续工艺制得低噪声热电堆器件。本发明能大幅度降低多晶硅电阻，制作出低噪声的热电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563403 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 202011262979.1 (22)申请日 2020.11.12 (71)申请人中国科学院微电子研究所

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