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2023-06-01 发布于四川
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制造半导体器件的方法.pdf

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一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成有源区；在所述衬底上形成与所述有源区相交的栅极结构；去除所述栅极结构的上部并形成栅极覆层；形成电连接到所述有源区的一部分的初步接触插塞，所述初步接触插塞包括第一部分和第二部分；形成包括第一图案层和第二图案层的掩模图案层，所述第一图案层覆盖所述栅极覆层的上表面，所述第二图案层从所述第一图案层延伸以覆盖所述初步接触插塞的所述第二部分；以及使用所述掩模图案层作为蚀刻掩模，通过使所述初步接触插塞的被所述掩模图案层暴露的所述第一部分从所述初步接触插塞的上表面凹陷

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530861 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202010915052.7 (22)申请日 2020.09.03 (30)优先权数据

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